SK 海力士开发出 238 层 NAND 闪存芯片,明年上半年量产

大千世界 19 0

  北京时间 8 月 3 日消息,韩国 SK 海力士(SK Hynix)已经开发出 238 层 NAND 闪存芯片,它可以用于 PC 存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货 232 层 NAND 闪存芯片。

  

SK 海力士开发出 238 层 NAND 闪存芯片,明年上半年量产-第1张图片-大千世界


  SK 海力士宣称新的 238 层芯片是最小的 NAND 闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升 50%,读取数据消耗的能量降低 21%。SK 海力士准备于 2023 年上半年开始大规模生产新芯片。

  英特尔 NAND 业务被 SK 海力士收购后更名为 Solidigm,它与 SK 海力士合计占有全球 NAND 闪存市场的 18%,仅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。


标签: SK海力士 芯片

抱歉,评论功能暂时关闭!